爱思开海力士申请半导体设备制造,提高半导体设备性能:半导体设备公司

金融界2025年1月18日消息,国家知识信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体设备和用于制造该半导体设备的方法”的,公开号 CN 119314946 A,申请日期为2024年6月半导体设备公司

摘要显示,本公开涉及半导体设备和用于制造该半导体设备的方法半导体设备公司 。一种半导体设备包括:多个第一接触部,其在半导体衬底中彼此间隔开预定距离;多个导电结构,其形成在第一接触部上方、在第一方向上延伸并且在垂直于第一方向的第二方向上间隔开,该多个导电结构中的每个导电结构与第一接触部中的每个第一接触部部分地重叠,并且该多个导电结构中的每个导电结构所具有的与第一接触部中的每个第一接触部重叠的部分的顶表面处于比不与第一接触部中的每个第一接触部重叠的部分的顶表面低的层级处;多个第二接触部,其设置在相邻导电结构之间;以及多个间隔件结构,其设置在导电结构与第二接触部之间。

来源:金融界

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