金融界2025年1月9日消息，国家知识信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体设备和半导体设备的制造方法”的，公开号 CN 119255610 A，申请日期为2024年1月半导体设备公司 。
摘要显示，提供了半导体设备和半导体设备的制造方法半导体设备公司 。半导体设备包括：栅极堆叠结构，包括交替堆叠的层间绝缘层和导电层；通道结构，在栅极堆叠结构中在垂直方向上延伸；以及存储器结构，插置在导电层与通道结构之间。存储器结构中的每个存储器结构包括阻挡绝缘层和电荷俘获层，阻挡绝缘层和电荷俘获层依次形成在导电层中的每个导电层的侧壁上。层间绝缘层的与通道结构接触的侧壁位于与电荷俘获层的与通道结构接触的侧壁相同的线上，或者层间绝缘层的与通道结构接触的侧部与电荷俘获层的侧壁相比进一步突出。
来源：金融界