金融界12月20日消息半导体研发，有投资者在互动平台向宏微科技提问：宏微爱赛作为宏微科技布局新兴技术领域的重要平台，未来将聚焦高压大电流产品方向，请问公司在该领域的具体技术优势是什么？
公司回答表示：宏微科技近年来专注于第三代化合物半导体技术的研发，取得了多项技术突破半导体研发。这些技术突破为宏微爱赛在高压大电流产品方向的发展提供了坚实的技术基础。宏微科技自主研发的SiC SBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过了多家终端客户的可靠性测试，并且部分产品已经实现了小批量出货。SiC SBD芯片的研发成功为宏微爱赛在未来高压大电流产品方向的发展提供了有力的技术支撑。宏微科技还完成了1200V 40mΩ SiC MOSFET芯片的研发工作，进一步巩固了公司在高性能功率半导体领域的技术优势。这些技术突破为宏微爱赛在高压大电流产品方向提供了更多的可能性。通过持续的研发投入和技术积累，宏微科技已经具备了在该领域进行深度探索和创新的能力。本回复不构成任何投资建议，具体信息请以公司公告为准。
来源：金融界