拓荆科技申请用于横流结构的扩散器以及半导体处理设备,提高半导体设备处理性能:半导体设备有限公司

金融界2025年2月12日消息,国家知识信息显示,拓荆科技(上海)有限公司申请一项名为“用于横流结构的扩散器以及半导体处理设备”的,公开号 CN 119392218 A,申请日期为2024年12月半导体设备有限公司

摘要显示,本发明提供了用于横流结构的扩散器以及半导体处理设备半导体设备有限公司 。所述扩散器包括进气通道和扩散本体。所述扩散本体包括斜面腔室以及多个流气通道;所述斜面腔室的中央顶部连通所述进气通道,所述斜面腔室具有由第一斜面和第二斜面组成的顶部轮廓以及由第三斜面和第四斜面组成的底部轮廓,顶部轮廓和底部轮廓形成中央空间大、边缘空间小的内部空间;每个流气通道的进气口与所述斜面腔室的底部轮廓连通,各流气通道的长度呈从中间向边缘两侧逐步递减的排布。

天眼查资料显示,拓荆科技(上海)有限公司,成立于2020年,位于上海市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业半导体设备有限公司 。企业注册资本135253.79万人民币,实缴资本95253.78万人民币。通过天眼查大数据分析,拓荆科技(上海)有限公司参与招投标项目19次,知识产权方面有商标信息1条,信息207条,此外企业还拥有行政许可9个。

来源:金融界

本站内容来自用户投稿,如果侵犯了您的权利,请与我们联系删除。联系邮箱:835971066@qq.com

本文链接:http://tqsemi.com/post/189.html

友情链接: